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TK40E10N1,S1X

MOSFET N CH 100V 90A TO220

भाग संख्या

TK40E10N1,S1X

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVIII-H

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

126W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

90A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

8.2 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 500µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

49nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3000pF @ 50V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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