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TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

भाग संख्या

TK40E10K3,S1X(S

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIV

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

15 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

84nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4000pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

वीजीएस (अधिकतम)

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