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TK40A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS

भाग संख्या

TK40A06N1,S4X

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVIII-H

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3 Full Pack

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220SIS

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

30W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

10.4 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 300µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

23nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1700pF @ 30V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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