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IPC100N04S51R7ATMA1

IPC100N04S51R7ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
भाग संख्या
IPC100N04S51R7ATMA1
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
OptiMOS™
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PG-TDSON-8
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
115W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
40V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
100A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.7 mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.4V @ 60µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
83nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
4810pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
7V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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