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IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

भाग संख्या

IPC100N04S51R2ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.2 mOhm @ 50A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.4V @ 90µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

131nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7650pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

7V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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