खरीदें Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

DataSheets

IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

भाग संख्या

IPC100N04S51R2ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.2 mOhm @ 50A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.4V @ 90µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

131nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7650pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

7V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया chen_hx1688@hotmail.com पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 10690 PCS

संपर्क जानकारी