छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
भाग संख्या
IPC100N04S51R2ATMA1
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PG-TDSON-8
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
150W (Tc)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
40V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
100A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.2 mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.4V @ 90µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
131nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
7650pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
7V, 10V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया chen_hx1688@hotmail.com पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 10690 PCS
के कीवर्ड IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 इलेक्ट्रॉनिक घटक
IPC100N04S51R2ATMA1 बिक्री
IPC100N04S51R2ATMA1 आपूर्तिकर्ता
IPC100N04S51R2ATMA1 वितरक
IPC100N04S51R2ATMA1 डेटा तालिका
IPC100N04S51R2ATMA1 तस्वीरें
IPC100N04S51R2ATMA1 कीमत
IPC100N04S51R2ATMA1 ऑफर
IPC100N04S51R2ATMA1 सबसे कम कीमत
IPC100N04S51R2ATMA1 खोजें
IPC100N04S51R2ATMA1 खरीदारी
IPC100N04S51R2ATMA1 चिप