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IPC100N04S402ATMA1

MOSFET N-CH 8TDSON

भाग संख्या

IPC100N04S402ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

भाग स्थिति

Last Time Buy

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerVDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8-23

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

2.4 mOhm @ 50A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 80µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

105nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

8100pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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