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SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
भाग संख्या
SIS890DN-T1-GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
TrenchFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
PowerPAK® 1212-8
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PowerPAK® 1212-8
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
23.5 mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
29nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
802pF @ 50V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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