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SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

भाग संख्या

SIS890DN-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® 1212-8

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® 1212-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

23.5 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

29nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

802pF @ 50V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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