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SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
भाग संख्या
SIS888DN-T1-GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
ThunderFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
PowerPAK® 1212-8S
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
52W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
150V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
20.2A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
58 mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
14.5nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
420pF @ 75V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
7.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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