IRF510STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
भाग संख्या
IRF510STRLPBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
-
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
43W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
5.6A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
540 mOhm @ 3.4A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
8.3nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
180pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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