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IRF510S

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

भाग संख्या

IRF510S

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5.6A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

540 mOhm @ 3.4A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

8.3nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

180pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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