RDD023N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
भाग संख्या
RDD023N50TL
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Not For New Designs
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
CPT3
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
20W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
500V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
2A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
5.4 Ohm @ 1A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
11nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
151pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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