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RDD022N50TL

MOSFET N-CH 500V CPT

भाग संख्या

RDD022N50TL

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Not For New Designs

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

CPT3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

20W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

500V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.4 Ohm @ 1A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4.7V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.7nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

168pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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