FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
भाग संख्या
FQD5N20LTM
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
QFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
D-Pak
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
200V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3.8A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
6.2nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
325pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 22056 PCS
संपर्क जानकारी
संबंधित उत्पाद
के कीवर्ड FQD5N20LTM
FQD5N20LTM इलेक्ट्रॉनिक घटक
FQD5N20LTM बिक्री
FQD5N20LTM आपूर्तिकर्ता
FQD5N20LTM वितरक
FQD5N20LTM डेटा तालिका
FQD5N20LTM तस्वीरें
FQD5N20LTM कीमत
FQD5N20LTM ऑफर
FQD5N20LTM सबसे कम कीमत
FQD5N20LTM खोजें
FQD5N20LTM खरीदारी
FQD5N20LTM चिप