FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
भाग संख्या
FQD5N20LTF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
QFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
D-Pak
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
200V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3.8A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
6.2nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
325pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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