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APTM120U10DAG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

भाग संख्या

APTM120U10DAG

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SP6

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SP6

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3290W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

160A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

120 mOhm @ 58A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

5V @ 20mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1100nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

28900pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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