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APTM08TDUM04PG

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

भाग संख्या

APTM08TDUM04PG

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SP6

शक्ति - अधिकतम

138W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SP6-P

एफईटी प्रकार

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

75V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

120A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4.5 mOhm @ 60A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

153nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4530pF @ 25V

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