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APTM100A23SCTG

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

भाग संख्या

APTM100A23SCTG

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SP4

शक्ति - अधिकतम

694W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SP4

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Half Bridge)

एफईटी सुविधा

Silicon Carbide (SiC)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1000V (1kV)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

36A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

270 mOhm @ 18A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

5V @ 5mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

308nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

8700pF @ 25V

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