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IXKN75N60C

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B

भाग संख्या

IXKN75N60C

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

CoolMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SOT-227-4, miniBLOC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-227B

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

560W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

Super Junction

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

600V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

75A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

36 mOhm @ 50A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.9V @ 5mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

500nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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