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IXKN45N80C

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

भाग संख्या

IXKN45N80C

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

CoolMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SOT-227-4, miniBLOC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-227B

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

380W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

Super Junction

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

800V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

44A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

74 mOhm @ 44A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.9V @ 4mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

360nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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