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IXFV12N120PS

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD

भाग संख्या

IXFV12N120PS

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

HiPerFET™, PolarP2™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PLUS-220SMD

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PLUS-220SMD

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

543W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.35 Ohm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

6.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

103nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5400pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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