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IXFV110N10PS

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S

भाग संख्या

IXFV110N10PS

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

PolarHT™ HiPerFET™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PLUS-220SMD

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PLUS-220SMD

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

480W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

110A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

15 mOhm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

5V @ 4mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

110nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3550pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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