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IRL3102PBF

MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB

भाग संख्या

IRL3102PBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220AB

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

89W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

61A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

13 mOhm @ 37A, 7V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

700mV @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

58nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2500pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 7V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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