IRL3102
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
भाग संख्या
IRL3102
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220AB
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
89W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
61A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
13 mOhm @ 37A, 7V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
700mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
58nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
2500pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 7V
वीजीएस (अधिकतम)
±10V
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