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MBR200150CT

MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
भाग संख्या
MBR200150CT
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Bulk
माउन्टिंग का प्रकार
Chassis Mount
पैकेज/केस
Twin Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
Twin Tower
डायोड प्रकार
Schottky
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि
880mV @ 100A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर
3mA @ 150V
डायोड विन्यास
1 Pair Common Cathode
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
150V
करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)
100A
रफ़्तार
Fast Recovery = 200mA (Io)
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)
-
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
-55°C ~ 150°C
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स्टॉक में 11249 PCS
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