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MBR200100CTR

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

भाग संख्या

MBR200100CTR

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Twin Tower

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Twin Tower

डायोड प्रकार

Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

840mV @ 100A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5mA @ 20V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Anode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

100V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

200A (DC)

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

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