खरीदें GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-247D DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D

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GB10SLT12-247D

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D

भाग संख्या

GB10SLT12-247D

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-247-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-247

डायोड प्रकार

Silicon Carbide Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.9V @ 5A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

50µA @ 1200V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

12A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 175°C

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