खरीदें GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

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GB10SLT12-220

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

भाग संख्या

GB10SLT12-220

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-2

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220AC

डायोड प्रकार

Silicon Carbide Schottky

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

10A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.8V @ 10A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

40µA @ 1200V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1200V

रफ़्तार

No Recovery Time > 500mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

0ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 175°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

520pF @ 1V, 1MHz

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