खरीदें WeEn Semiconductors BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

BYQ28E-200E,127

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

भाग संख्या

BYQ28E-200E,127

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220AB

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.25V @ 10A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 200V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

10A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

25ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

150°C (Max)

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 20998 PCS

संपर्क जानकारी