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VQ1004P-E3
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
भाग संख्या
VQ1004P-E3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
-
तकनीकी
-
परिचालन तापमान
-
माउन्टिंग का प्रकार
-
पैकेज/केस
-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
-
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
-
एफईटी प्रकार
-
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
-
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
-
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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