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SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

भाग संख्या

SQJ912AEP-T1_GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8 Dual

शक्ति - अधिकतम

48W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8 Dual

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

9.3 mOhm @ 9.7A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1835pF @ 20V

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