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SIR403EDP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

भाग संख्या

SIR403EDP-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

5W (Ta), 56.8W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

6.5 mOhm @ 13A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.8V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

153nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4620pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±25V

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