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SIA810DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

भाग संख्या

SIA810DJ-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

LITTLE FOOT®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SC-70-6 Dual

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SC-70-6 Dual

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

Schottky Diode (Isolated)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.5A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

53 mOhm @ 3.7A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11.5nC @ 8V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

400pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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