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SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
भाग संख्या
SIA400EDJ-T1-GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
TrenchFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
PowerPAK® SC-70-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PowerPAK® SC-70-6 Single
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
19.2W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
12A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
19 mOhm @ 11A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
36nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1265pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
2.5V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±12V
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