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SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
भाग संख्या
SI1002R-T1-GE3
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
SC-75A
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
220mW (Ta)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
610mA (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
2nC @ 8V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
36pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.5V, 4.5V
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