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IRFU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK

भाग संख्या

IRFU014PBF

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-251AA

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.7A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

200 mOhm @ 4.6A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

300pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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