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TK6Q60W,S1VQ

MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

भाग संख्या

TK6Q60W,S1VQ

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

DTMOSIV

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Stub Leads, IPak

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

I-PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

60W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

Super Junction

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

600V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

820 mOhm @ 3.1A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.7V @ 310µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

12nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

390pF @ 300V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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