खरीदें Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q) MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

TK60D08J1(Q)

MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

भाग संख्या

TK60D08J1(Q)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220(W)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

140W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

75V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

60A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

7.8 mOhm @ 30A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.3V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

86nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5450pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 10374 PCS

संपर्क जानकारी