छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
TK60D08J1(Q)

TK60D08J1(Q)

MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
भाग संख्या
TK60D08J1(Q)
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220(W)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
140W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
75V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
60A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
7.8 mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.3V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
86nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
5450pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 10374 PCS
संपर्क जानकारी
के कीवर्ड TK60D08J1(Q)
TK60D08J1(Q) इलेक्ट्रॉनिक घटक
TK60D08J1(Q) बिक्री
TK60D08J1(Q) आपूर्तिकर्ता
TK60D08J1(Q) वितरक
TK60D08J1(Q) डेटा तालिका
TK60D08J1(Q) तस्वीरें
TK60D08J1(Q) कीमत
TK60D08J1(Q) ऑफर
TK60D08J1(Q) सबसे कम कीमत
TK60D08J1(Q) खोजें
TK60D08J1(Q) खरीदारी
TK60D08J1(Q) चिप