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TK56E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 56A TO-220

भाग संख्या

TK56E12N1,S1X

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVIII-H

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

168W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

120V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

56A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

7 mOhm @ 28A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

69nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4200pF @ 60V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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