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TK56E12N1,S1X

TK56E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 56A TO-220
भाग संख्या
TK56E12N1,S1X
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
U-MOSVIII-H
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
168W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
120V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
56A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
7 mOhm @ 28A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
69nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
4200pF @ 60V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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