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TK560P60Y,RQ

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK

भाग संख्या

TK560P60Y,RQ

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

DTMOSV

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DPAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

60W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

600V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

560 mOhm @ 3.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 240µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14.5nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

380pF @ 300V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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