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TK25V60X,LQ

TK25V60X,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
भाग संख्या
TK25V60X,LQ
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
DTMOSIV-H
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
-
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
4-VSFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
4-DFN-EP (8x8)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
180W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
600V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
25A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
135 mOhm @ 7.5A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.5V @ 1.2mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
40nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
2400pF @ 300V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±30V
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