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SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

भाग संख्या

SSM6H19NU,LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVII-H

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-UDFN Exposed Pad

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-UDFN (2x2)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

185 mOhm @ 1A, 8V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.2V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

2.2nC @ 4.2V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

130pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 8V

वीजीएस (अधिकतम)

±12V

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