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HN4K03JUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

भाग संख्या

HN4K03JUTE85LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

USV

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

200mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

12 Ohm @ 10mA, 2.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

8.5pF @ 3V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V

वीजीएस (अधिकतम)

10V

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