खरीदें Toshiba Semiconductor and Storage CRG02(TE85L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT

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CRG02(TE85L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT

भाग संख्या

CRG02(TE85L,Q,M)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOD-123F

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

S-FLAT (1.6x3.5)

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

700mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 700mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 400V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

400V

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 150°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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