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2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

भाग संख्या

2SK4017(Q)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIII

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Stub Leads, IPak

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PW-MOLD2

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

20W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

100 mOhm @ 2.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

730pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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