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2SJ668(TE16L1,NQ)

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

भाग संख्या

2SJ668(TE16L1,NQ)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIII

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PW-MOLD

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

20W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

170 mOhm @ 2.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

700pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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