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2SJ649-AZ

MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

भाग संख्या

2SJ649-AZ

निर्माता/ब्रांड

Renesas Electronics America

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3 Isolated Tab

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220 Isolated Tab

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2W (Ta), 25W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

48 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1900pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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