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CSD85301Q2

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

भाग संख्या

CSD85301Q2

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-WDFN Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

2.3W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-WSON (2x2)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate, 5V Drive

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

27 mOhm @ 5A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5.4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

469pF @ 10V

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