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US1B R3G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

भाग संख्या

US1B R3G

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

DO-214AC, SMA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-214AC (SMA)

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 1A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 100V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

100V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

50ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

15pF @ 4V, 1MHz

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