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HS3A V6G

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

भाग संख्या

HS3A V6G

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

DO-214AB, SMC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DO-214AB (SMC)

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 50V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

50V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

50ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

80pF @ 4V, 1MHz

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