ESH3B V6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
भाग संख्या
ESH3B V6G
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
-
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DO-214AB, SMC
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
DO-214AB (SMC)
डायोड प्रकार
Standard
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)
3A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि
-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर
5µA @ 100V
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
100V
रफ़्तार
Fast Recovery = 200mA (Io)
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)
20ns
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
-55°C ~ 175°C
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ
45pF @ 4V, 1MHz
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